รายละเอียดสินค้า

ค่าสูงสุดของกระแสคอลเลกเตอร์ในสภาวะ On:50 mA
ค่าสูงสุดแรงดันระหว่างขาคอลเลกเตอร์และขาอิมิเตอร์ VCEO:35 V
แรงดันพังทลายระหว่างคอลเลกเตอร์และอิมิเตอร์:35 V
แรงดันอิ่มตัวที่ตกคร่อมระหว่างขั้วคอลเลกเตอร์และอิมิเตอร์:150 mV
กระแสมืด:50 nA
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังเพิ่มขึ้น:8 us
ระยะเวลาที่แรงดันกำลังตก:8 us
Pd - กำลังงานสูญเสีย:165 mW
ค่าต่ำสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:- 40 C
ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน:+ 100 C
ความสูง:4.8 mm
ความยาว:3.4 mm
สี/รูปแบบของเลนส์:Clear
กระแสขาออก (1):-
การบรรจุ:Bulk
ประเภท:Silicon NPN Phototransistor
ความยาวของคลื่น:880 nm
ความกว้าง:3.4 mm
ความล่าช้าในการแพร่กระจาย - สูงสุด:
องศาของมุมความเข้มของสีครึ่งหนึ่ง:25 deg
กระแสไฟฟ้าแสงสว่าง:2 mA
ประเภทสินค้า:Phototransistors